当前位置:首页 > 无损伤单晶圆兆声波清洗装置

无损伤单晶圆兆声波清洗装置

[导读]介绍了一种自主研发的单晶圆兆声波清洗装置,利用石英微共振 腔阵列对到达晶圆表面的兆声波能量进行控制。

本文研究了不同工艺条件下该装置清洗后的颗粒去除效率,并与常规喷嘴的清洗结果进行比较。在图形损伤方面,采用该装置对具有40 nm 线宽的多晶硅线条状栅极结构的图形晶圆进行了损伤测试,并与商业化的兆声波清洗装置的清洗结果进行对比。

自主设计的无损伤兆声波清洗装置的清洗工艺效果,并与普通的清洗喷嘴和商业化的兆声波清洗装置的工艺结果进行了对比。测试结果表明,由于在清洗装置底部采用了特殊设计的石英微共振腔阵列结构,无损伤兆声波清洗装置能够有效去除沉积在晶圆表面的各种尺寸的颗粒污染物,对于Si3N4颗粒,颗粒去除效率达到86. 73%,远高于普通喷嘴的清洗结果( 25. 25%) ; 对于PSL颗粒,颗粒去除效率高达90. 79%,也高于普通喷嘴的清洗结果( 68. 21%) 。同时,测试结果表明,无损伤兆声波清洗工艺过程中不会对40 nm 线宽的栅极图形结构造成任何损伤。而在对比实验中采用商业化的兆声波清洗装置清洗时,虽然颗粒去除效率略高于自主研发的无损伤兆声波清洗装置,但是会造成晶圆表面图形的严重损伤和坍塌。


本文自主研发的无损伤兆声波清洗装置能够在大幅度提高颗粒污染物的去除效率的前提下,实现具有精细结构的图形晶圆的无损伤清洗。在40 nm及以下工艺技术节点的集成电路清洗工艺中有着广阔的应用前景。





相关文章